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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20161HSR3
VDD
=28Vdc,IDQA
= 550 mA
f
MHz
Max Pout
(1)
Zsource
?
Zload
?
Watts
dBm
1880
103
50.1
8.74 -- j9.81
2.08 -- j5.64
1930
108
50.3
13.6 -- j9.01
2.29 -- j5.66
1990
107
50.3
17.6 + j0.07
1.52 -- j5.96
2025
105
50.2
14.6 + j4.42
1.75 -- j5.54
(1) Maximum output power measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 11. Carrier Side Load Pull Performance ? Maximum P1dB Tuning
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
VDD
=28Vdc,IDQA
= 550 mA
f
MHz
Max Eff.
(1)
%
Zsource
?
Zload
?
1880
62.7
8.74 -- j9.81
3.61 -- j2.84
1930
66.2
13.6 -- j9.01
3.84 -- j4.10
1990
63.5
17.6 + j0.07
3.02 -- j5.11
2025
64.1
14.6 + j4.42
3.30 -- j4.36
(1) Maximum efficiency measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 12. Carrier Side Load Pull Performance ? Maximum Efficiency Tuning
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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